Как создаются резисторы в полупроводниковых интегральных микросхемах?

Сопротивление материала зависит от его удельного сопротивления (сопротивления, определенного на длине 1 см для поперечного сечения этого материала, равного 1 см²), длины, площади и температуры. У полупроводниковых интегральных микросхем резистор создается путем диффузии слоя типа р в полупроводнике типа n или наоборот (рис. 5.18).

Рис. 5.18. Структура резистора в полупроводниковой интегральной микросхеме

По двум концам созданной таким образом резистивной дорожки располагаются металлические контактные площадки, между которыми и «действует» сопротивление, зависящее от формы канала и количества примесей в нем. Ограничивающий такой канал переход, естественно, смещен в обратном направлении. Описываемым способом получают сопротивления от нескольких ом до нескольких десятков килоом. Точность диффузионного резистора невысокая и составляет обычно примерно 20 %, однако относительный разброс сопротивлений резисторов для интегральных микросхем одного типа составляет около ±2 %.