Каковы статические характеристики транзистора в схеме ОБ?
Типичные статические характеристики транзистора в схеме ОБ представляют собой зависимость тока коллектора от постоянного напряжения между коллектором и базой, они называются выходными или коллекторными характеристиками. Такие характеристики можно определить для двух разных случаев: поддерживая постоянным ток эмиттера (рис. 4.11) или поддерживая постоянное значение напряжения эмиттер — база. В обоих случаях уже при малых напряжениях uкб ток коллектора Iк достигает значения, которое незначительно возрастает при дальнейшем увеличении коллекторного напряжения, причем это возрастание связано в основном с ростом составляющей обратного тока Iкбо (Iко), который существует из-за наличия неосновных носителей в полупроводнике и определяется для Iэ = 0. Основная составляющая тока коллектора, связанная с основными носителями, не зависит от напряжения Uкб смещающего коллекторный переход в запирающем направлении.
Нулевое значение коллекторного тока Iк достигается при небольшом напряжении Uкб противоположной полярности, т. е. при смещении коллекторного перехода в проводящем направлении.
Если при снятии характеристики Iк = φ·(Uкб) в измерительной схеме поддерживается постоянным ток Iэ, то ток Iэ является в этом случае параметром. Для транзистора типа n-р-n напряжение Uкб и ток коллектора положительны, а для транзистора типа р-n-р — отрицательны[11].
По приведенной на рис. 4.11 характеристике можно простым способом определить коэффициент передачи тока h21Б как отношение приращения тока коллектора ΔIк к приращению тока эмиттера ΔIэ при постоянном напряжении коллектор-база (Uкб = const). Для ΔUкб = 0
Из этих характеристик можно также определить параметр h22б или выходную проводимость схемы ОБ, а именно:
Рис. 4. 11. Статические выходные характеристики транзистора в схеме ОБ