Как выполняются диоды и транзисторы в полупроводниковых интегральных микросхемах?

Изготовление диода осуществляется относительно просто. Используется процесс диффузии, создающий один р-n переход. Структура диода в интегральной микросхеме характеризуется плоским планарным) переходом, например таким, как на рис. 5.16.

Рис. 5.16. Структура полупроводникового диода в интегральной микросхеме:

_{1 — контакт; 2 — металлизация; 3 — двуокись кремния}

Электрические параметры диффузионного диода зависят от площади перехода, распределения и концентрации примесей. Транзисторы также изготавливаются на основе использования диффузии для получения двух переходов в планарной структуре (рис. 5.17).

Рис. 5.17. Схематическая структура транзистора в интегральной схеме:

_{1 — первая, 2 — вторая, 3 — третья диффузии}