Что такое полупроводниковый стабилитрон?

Это плоскостной диод, в котором для стабилизации напряжения используется эффект Зенера. Обратный ток диода в относительно большом интервале изменений напряжения не зависит от этого напряжения. Однако при достаточно большом значении обратного напряжения ток диода начинает резко возрастать (рис. 3.10).

Рис. 3.10. Условное графическое обозначение полупроводникового стабилитрона (а) и его характеристика (б)

Напряжение, зависящее от свойств перехода (ширины, материала, концентрации примесей), составляет от нескольких до 1000 В и называется напряжением зенеровского пробоя или напряжением стабилизации. Если не будет превышена допустимая мощность рассеяния диода, пробой не разрушает диод.

Причиной резкого увеличения тока является чрезмерное увеличение напряженности электрического поля в запирающем слое, которое вызывает два эффекта: зенеровскую и лавинную ионизацию.

Для узких переходов, образующихся при сильном легировании, уже при напряжениях около нескольких вольт напряженность электрического поля становится настолько большой, что наступает зенеровская ионизация, основанная на переходе электронов из валентной зоны материала p-типа и переносе их через барьер в зону проводимости в материал n-типа[7]. Лавинная ионизация, имеющая место в широких переходах при малом легировании, вызывается бомбардировкой атомов кристаллической решетки ускоренными электронами, создающими обратный ток. Столкновение электронов с атомами вызывает лавинный процесс образования новых носителей заряда, быстро увеличивающих обратный ток.